El informe preliminar se publicó el 22 de septiembre de 2026, y es la primera vez que alguien ajeno a TSMC extrae el chip de un teléfono real para comprobarlo. Hasta ahora, esas cifras de velocidad, consumo y densidad solo las había dado la propia fundición: un 15% más de velocidad a igual consumo frente al N3E, un 30% menos de consumo a igual velocidad, y una densidad lógica más de 1,15 veces superior. «2 nm» no mide ninguna cota física del chip, es una etiqueta de generación, por eso esta comprobación externa vale más que cualquier cifra comercial. El informe completo queda para suscriptores, aunque TechInsights ofrecerá un seminario web público el 14 de octubre.
Transistores de nanohojas: así deja Apple atrás los FinFET
El cambio más importante está en la arquitectura. El A20 Pro monta transistores de nanohojas con puerta envolvente, conocidos como GAA, que sustituyen a los FinFET dominantes desde principios de la década de 2010. En un FinFET, la puerta cubre la aleta de silicio solo por tres lados, y esa cara libre pierde corriente cuanto menor es el transistor. Con nanohojas, la puerta envuelve el canal por los cuatro lados y mejora el control eléctrico.
TSMC suma otra ventaja con su tecnología NanoFlex: si en un FinFET la corriente de salida solo se ajustaba añadiendo aletas, con nanohojas se puede variar su anchura entre celdas de una misma oblea. Los núcleos de rendimiento usan hojas anchas y los de eficiencia, hojas estrechas. TechInsights señala unos espaciadores internos que reducen fugas y capacitancia parásita, un detalle que distingue la implementación de TSMC de sus competidores.